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电子元器件详细资料 » IC[28343] » STP19NM65N
型号:STP19NM65N类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
系列MDmesh™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C15.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C270 毫欧 @ 7.75A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs55nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1900pF @ 50V
功率_最大150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装带卷 (TR)

供应商

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